Elektronová mikroskopie a mikroanalýza, Praha

Nabídka služeb - analytické metody a možnosti

Analýza povrchu vzorku pomocí detekce zpět odražených elektronů - BEI (backscattered electron images)

Zpět odražené elektrony vznikají interakcí urychlených primárních elektronů s povrchem vzorku procesem tzv. pružných srážek. Zpět odražené elektrony mají nepatrně nižší energii, než primární elektrony.

Oblasti vzniku produktů interakce primárních elektronů a povrchu analyzovaného vzorku

Vznik zpět odražených elektronů je na rozdíl od sekundárních elektronů vázán do hlubších podpovrchových partií analyzovaného vzorku. Detekcí zpět odražených elektronů při procesu rastrování elektronového svazku a následnou digitalizací získáváme snímky povrchů vzorků pořízených ve zpět odražených elektronech. Snímky poskytují informaci o průměrném hmotnostním čísle analyzované látky. Tyto snímky můžeme využít např. pro rozlišení a studium vztahů jednotlivých fází ve vzorku, jejich prostorového uspořádání, zonality minerálů a studium materiálových nehomogenit.

Analýzu vzorku ve zpětně odražených elektronech je možné provádět pomocí polovodičového (vysoký fázový kontrast) nebo Robinsonova detektoru (nízký fázový kontrast).

Inkluze alkalických skel v klinopyroxenu

Klast pigeonitického lunárního bazaltu

Zonalita zirkonu

Inkluze chromitu v klinopyroxenu